技术编号:7207696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般来说涉及半导体器件中形成铜配线的方法,特别涉及能够通过完成金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺技术,该技术使用1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二铜(3,3-二甲基-1-丁烯)-铜(I)(下文称为(hfac)Cu(DMB))化合物作为母材,不仅能够实现镀铜工艺的重现,而且获得镀敷具有优良膜质量的铜薄膜。当半导体工业开始进口超大规模集成电路(ULSI)时,器件的几何尺寸减少到次于半μ的范围,而考虑改善操作性和可靠性,电流密度增加了。由于这个...
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