技术编号：7207749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法。 背景技术III-V族氮化物半导体已经被不同地应用为包括蓝色/绿色发光二极管(LED)的 光学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)、异质结场效晶体管(HEMT)等等的高速 切换器件、以及照明和显示设备的光源等等。特别地，使用III族氮化物半导体的发光器件 能够执行高效率的发光，具有对应于从可见光到紫外线的区域的直接跃迁型带隙。氮化物半导体已经被主要地用作发光二极管(LED)或者激光二极管(...
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