技术编号：7207801
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上是有关于半导体制造装备，且更明确而言，是有关于提供多模式离 子源的技术。背景技术离子植入是通过用受激(energized)离子直接轰击基板来将化学物质沉积至基 板中的制程。在半导体制造中，离子植入器主要用于掺杂制程，其更改目标材料的导电性的 类型及位准。集成电路(integrated circuit, IC)基板及其薄膜结构中的精确掺杂轮廓对 适当IC效能而言常常是至关紧要的。为达成所要掺杂轮廓(profile)，可以不同剂量且以 不同能量位准...
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