技术编号:7207861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。使用掺杂层屏蔽的混合异质结太阳能电池制造发明背景 发明领域本发明的实施方式大体上是关于光电电池的制造。相关技术描述太阳能电池为将太阳光直接转换成电能的光电装置。最常见的太阳能电池材料为 硅,其为单晶或多晶型基板(有时称为晶片)。因形成硅基太阳能电池产生电能的摊还成本 高于传统方法,因此已致力于降低形成太阳能电池的成本。许多方式能制造太阳能电池的有源区(active region)和太阳能电池的载流金属 线或导体。然而这些现有技术的制造方法有数个缺点。例如,...
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