技术编号：7207885
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术GaN通常被认为是一种化合物半导体材料，适用于蓝光发射器件或高温电子器件。 近来，由于蓝光发射器件的广泛应用，使得GaN基底的需求增加。但是，由于高质量的GaN 基底可能不容易制造，从而导致GaN基底的制造成本和制造时间大大增加。与硅或蓝宝石不同，GaN不能以铸块的形式生长，因此，采用外延生长方法在异质 基底上生长GaN，该异质基底比如为SiC基底或蓝宝石基底。由于异质基底和GaN晶体之间 的晶格常数和热膨胀系数不同，因此，导致GaN...
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