技术编号:7207888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在靶材上同时使用射频和直流功率的超均匀溅射沉积法背景技术超大型集成电路的制造涉及利用物理汽相沉积(PVD)的金属膜沉积。典型地,提 供由在工件或半导体晶圆上待沉积成为薄膜的材料所构成的靶材。此材料可以是诸如铜、 钛、钽或其他金属、金属氧化物、金属氮化物。例如,在一工艺中,氮化钛被沉积在薄膜结构 上,其中该薄膜结构包括位于源极-漏极沟道上方的非常薄的HfO2栅极氧化物层。这样的 工艺必须在横越整个工件或晶圆上达到高均勻的沉积膜厚度分布。目前,PVD工艺是依赖...
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