技术编号:7207889
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电转换装置,尤其是涉及三层型太阳电池。 背景技术作为将太阳光的能量转换为电能的太阳电池中使用的光电转换装置,已知有具备 光电转换层的薄膜硅系光电转换装置,所述光电转换层是通过等离子体CVD法等制成ρ型 硅系半导体(P层)、i型硅系半导体(i层)及η型硅系半导体(η层)的薄膜而形成的具 有pin结(pin接合)的光电转换层。作为薄膜硅系光电转换装置的优点,可列举与结晶系光电转换装置相比,大面积 化容易,另外由于光电转换层的膜厚为结晶系光电转换装置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。