技术编号:7208075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对无定型硅或氧化硅等含有硅原子的含硅膜进行蚀刻的方法及装置。 背景技术氧化硅膜可通过含有氟化氢等氟系反应气体的处理气体进行蚀刻。无定型硅等几 乎全部由硅原子构成的硅膜可通过混合了氟化氢等氟系反应气体和臭氧等氧化性反应气 体的处理气体进行蚀刻。例如,在专利文献1、2中记载了 利用臭氧使晶片表面的硅氧化,形成氧化硅(式 1),在此基础上使用氢氟酸进行蚀刻。氢氟酸在氢氟酸蒸汽发生器中被蒸发,再将其导入晶 片表面。专利文献3中记载了 通过在CF4等氟系气...
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