技术编号:7208110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由结晶相形成的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方 法,以及使用溅射靶材的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管的形成。背景技术场效应型晶体管被广泛作为半导体记忆集成电路的单元电子元件、高频信号增幅 元件、液晶驱动用元件等用,现在为最大量实用化的电子装置。其中近年来伴随着显示装置的显著发展,除了液晶显示装置(LCD)外,电致发光 显示装置(EL)及场致发射显示器(FED)等各种显示装置也多使用薄膜晶体管(TFT)作为 对显示元件施加驱动电压以驱动显示装置的开关...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。