技术编号:7208119
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。本申请基于2008年10月21日在日本申请的特愿2008-271222号主张优先权,在 此援用其内容。背景技术近年,从有效地利用能量的观点来看,太阳能电池正越来越被广泛普遍利用。作为 该太阳能电池,已知有使用单晶硅的硅太阳能电池、使用多晶硅层的多晶硅太阳能电池、使 用非晶硅的非晶硅太阳能电池等硅系太阳能电池。硅系太阳能电池由例如层压有作为表面 电极形成在玻璃基板上的由透明导电氧化物(TCO、Transparent conductive oxid...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。