技术编号:7208130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,比如CMOS传感器。更具体地,本发明涉及具有气隙 的浅沟槽隔离结构、采用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器及该CMOS传感器的制造方法。背景技术随着半导体制造技术的发展,已经扩展了半导体器件的应用领域,因此已经密集 地进行了各种研究和开发以增加半导体器件的集成度。随着半导体器件集成度的增加,研 究已经更多地追求基于微制造工艺来制造微小尺寸的半导体器件。在半导体器件的微制造 技术中,用于将器件彼此隔离以集成器件的隔离层缩减技术非常...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。