技术编号:7208201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种可应用于半导体晶圆处理的扩大温度高温测定。详言之,本发明有关于硅晶圆的快速热处理(rapid thermal processing,RTP),和使用于RTP中的扩大温度(包括低温)高温测定技术。背景技术快速热处理(RTP) —词可用于形容数种热处理型态,包括退火、掺质活化、氧化、 氮化等等。上述处理一般在高于约1000°c的相对高的温度下进行。其可在前体或蚀刻气体存在下,进一步地应用于化学气相沉积和蚀刻。后者一般在相对来说较低温度(约介于 ...
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