技术编号：7208389
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。宽带离子束产生用的高密度螺旋等离子源背景技术离子植入器常用在集成电路(IC)及平面显示器的生产上，以在半导体晶圆(通常为硅)上藉由P型或η型掺杂来产生不同导电性的区域。在此装置中，等离子源用以离子 化掺杂的气体。正离子的光束由等离子源中提取并加速到预定的能量，经过质量过滤然后 直接到达晶圆。当离子轰击晶圆时，离子贯穿至某个深度(由离子的动能及质量而定)并 产生不同导电性的区域(由掺杂元素的密度而定)于晶圆中。这些区域中的η或P掺杂的 性质及其在晶圆上的几何...
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