技术编号：7208474
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致关于集成电路的半导体器件与结构，更明确地，关于蚀刻含硅与氮的介电层的方法。背景技术自从数十年前问世以来，半导体器件的几何图案已经显著地减少尺寸。现代半导体制造装置例行地产生250nm、180nm与65nm特征尺寸的器件，而正在发展与实施新装置以产生更小几何图案的器件。然而，较小的尺寸意味着器件必须较接近彼此而一同运作，而这会提高电干扰(包括串扰与寄生电容)的可能性。为了减少电干扰的程度，介电绝缘材料用来填充间隔、沟槽以及元件、金属线路与其他器件特...
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