技术编号:7208487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅氧化膜的形成方法和装置,用于形成例如能够应用于栅极绝缘膜等用途的优质的硅氧化膜(SiO2)。背景技术作为将硅表面氧化来形成硅氧化膜的方法,大致分为使用氧化炉或RTP(Rapid Thermal Process,快速热处理)装置的热氧化处理和使用等离子体处理装置的等离子体氧化处理。例如,作为热氧化处理之一的氧化炉的湿式氧化处理中,将硅基板加热到超过 800°C的温度,通过使用WVG(Water Vapor Generator,水蒸汽发生器)使基板...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。