技术编号:7208492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。复合衬底上生长的半导体发光器件背景技术包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL) 和边发射激光器的半导体发光器件处于当前可获得的最有效的光源之中。能够跨可见光谱工作的高亮度发光器件的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体,尤其是也称为III族氮化物材料的镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。典型地,III族氮化物发光器件通过用金属有机化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(MBE)或者其他外延技术在...
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