技术编号:7208583
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及变容二极管,并且更具体地涉及具有经改进的调谐范围的用于集成电路的变容二极管。背景技术现代的集成电路常常由金属氧化物半导体(M0Q晶体管形成。例如集成电路常常使用互补金属氧化物半导体(CM0Q晶体管技术。CMOS集成电路具有η沟道金属氧化物半导体(NMOS)和ρ沟道金属氧化物半导体(PMOS)。NMOS和PMOS晶体管具有四个端子漏极、源极、栅极和本体(body)。掺杂体接触通常用于形成本体端子。例如,η沟道晶体管具有ρ型掺杂的本体。在ρ型本体中,...
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