技术编号:7208593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在金属衬底上的半导体异质结构中具有应变沟道的功率MOSFET本申请要求2008年9月四日提交的申请号为61/101,116的美国临时申请的权益,其全部内容为了所有目的而通过引用结合于此。背景技术本发明通常涉及功率晶体管,且更具体地涉及在金属衬底上的半导体异质结构中具有应变半导体沟道区的金属氧化物半导体栅控(M0S-栅控)功率晶体管。传统的半导体制造利用许多工艺来在衬底上形成半导体结构。在某些器件中,用衬底作为导电路径的一部分。例如,衬底通过固态开关起重要作...
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