技术编号:7208612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体处理和半导体器件,并更具体而言涉及用于制造半导体器件的选择性沉积钌(Ru)金属膜的方法。背景技术集成电路包含各种半导体器件和多个导体金属通路,所述多个导体金属通路为半导体器件提供电功率,并使得这些半导体器件能够共享和交换信息。在集成电路内,使用将金属层彼此隔离的金属间电介质层或层间电介质层,使金属层一层一层堆叠起来。通常,每个金属层必须形成与至少一个附加金属层接触的电接触。通过在将金属层分隔的层间电介质中蚀刻出孔(即,过孔)、并用金属填充所...
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