技术编号:7208660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。所公开的实施例涉及半导体存储器器件以及制造它们的工艺。 背景技术随着集成电路半导体技术继续缩放到更小的几何尺寸,在最小的几何尺寸下的本征阈值电压(Vt)的变化影响质量。例如,在互补金属氧化物半导体(CM0Q静态随机存取存储器(SRAM)单元中的静态噪声容限(SNM)可能被本征Vt变化不利地影响。由日益更小的晶体管几何尺寸导致的SW的该减小可能导致困难。当Vcc缩放到更低的电压时,SW将进一步减小。Vt变化给电源电压、晶体管尺寸、以及因此最小六晶体管(6T)...
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