技术编号：7208810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及用于在半导体基板上制造装置的设备。更具体而言，本发明涉及用于在等离子体蚀刻半导体基板上的层后移除含卤素的残余物的设备。背景技术超大规模集成(ULSI)电路可包括形成于半导体基板(诸如，硅(Si)基板)上且协作以在装置内执行各种功能的百万个以上的电子装置(例如，晶体管)。通常，用于ULSI 电路中的晶体管为互补金属氧化物半导体(CMOS)场效晶体管。CMOS晶体管具有包含多晶硅栅电极与栅介电层的栅结构，且安置于源极区与形成于基板中的漏极区之间...
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