技术编号:7208822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明领域一般涉及半导体集成电路制造领域,尤其但并不排他地涉及形成用于增强稳定性并减小电容的双金属互连结构。背景信息微电子设备的制造涉及在诸如硅晶片的微电子衬底上形成电子组件。这些电子组件可以包括晶体管、电阻、电容等等,具有在不同层上的由介电材料分隔的中间和覆盖金属化图案。金属化图案将电学组件互相连接(即,术语“互连”)以形成集成电路。本文中将术语互连定义成包括所有互连组件,包括填充有导电材料的沟槽和开口或通孔。用于形成互连的一种工艺被称为“大马士革(da...
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