技术编号:7208878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明总体上涉及半导体激光二极管,更具体而言,涉及垂直腔表面发射激光器 (VCSEL)的改进。背景技术 对于高功率应用而言,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)是有吸引力的器件。因为在 CW操作中VCSEL的输出功率和效率通常受到热效应的限制,所以对于高功率应用而言,优选的是发射波长在大约980nm左右的底部发射VCSEL。它们ρ侧向下安装以便使有源区靠近散热器并避免高的热阻。然而,底部发射VCSEL在VCSEL的ρ侧上需要相当数量的分布式布拉格反射器(D...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。