技术编号:7208947
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 专利文献1中,记载了一种半导体元件的制造方法。该方法中,通过III族氮化物基化合物半导体的结晶生长,依次生长出多个半导体层,从而形成有源层。该有源层具有包含铟(In)的半导体层而构成。在有源层的形成后,生长至少一层的ρ型半导体层。ρ型半导体层的结晶生长温度为摄氏820度以上、摄氏910度以下。作为运送ρ型半导体层的原料气体的载气,使用惰性气体(He、Ne、Ar、Kr、Xe、foi)或氮气(N2)。专利文献2中,记载了一种制造氮化物半导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。