技术编号：7209123
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双栅极场效应晶体管，包括第一和第二电介质层、第一和第二栅电极以及由至少一个源电极、至少一个漏电极和至少一个有机半导体构成的组件，其中源电极和漏电极与半导体接触，组件位于第一电介质层和第二电介质层之间，第一电介质层位于第一栅电极和组件第一侧之间，第二电介质层位于第二栅电极和组件第二侧之间。背景技术文献US 2004/0029310A1公开了一种有机场效应晶体管(OFET)，包括上下绝缘体层、两个栅电极以及由源电极、漏电极和有机半导体构成的组件，...
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