技术编号:7209246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其是干式工序等中的、将载置于工作台上的半导体晶片的温度控制为目标温度且将半导体晶片的面内的温度分布控制为所期望的温度分布时使用的优良的装置及方法。背景技术在对硅晶片等半导体晶片实施处理的工序中,存在必须将硅晶片的温度控制为目标温度且将硅晶片(或硅晶片上的堆积物)的面内的温度分布控制为所期望的温度分布的工序。例如在干式工序时,需要使硅晶片(或硅晶片的堆积层)的面在真空腔室内均勻地通过等离子进行蚀刻。由此,必须控制使硅晶片的面内的温度分布均勻。不...
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