技术编号：7209406
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及一种。 背景技术使用磁体时，在自由空间上便于阻抗匹配使电容率和磁导率的比率接近于1。通过高温热处理的方法上升电容率和磁导率的值，以便使电容率和磁导率的比率接近1。即，通过热处理温度的上升使晶界成长并使磁导率上升，由此可以调节电容率和磁导率的比例。 但是，热处理温度的上升不仅影响磁导率的上升，又影响电容率的上升，由此两个值都会增加。并且，这种热处理温度的上升导致共振频率的下降和生产工序的高价化。因此，需要通过低温热处理也能使电容率和磁导率的...
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