技术编号:7209587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例大体来说涉及半导体装置结构,所述半导体装置结构经配置以减少或消除所存储电荷从晶体管沟道的泄漏或从晶体管沟道的“结泄漏”。更具体来说,本发明的实施例涉及其中能量势垒邻近于晶体管沟道安置的半导体装置,且甚到更具体来说, 本发明的实施例涉及具有包括碳化硅的能量势垒的半导体装置。背景技术在nMOS (η型金属氧化物半导体)晶体管中,晶体管沟道包括η型半导体材料,其中电子构成大多数电荷载流子,且空穴是存储电荷的载流子。有时在包括P型半导体材料的块体衬底...
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