技术编号:7209592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及场效应晶体管,尤其涉及由III族氮化物半导体构成的场效应晶体管。背景技术以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体具有,超过硅和镓砷的大的带隙、 高的击穿电场、以及高的饱和电子速度。对于利用了 III族氮化物半导体的场效应晶体管 (FET),由于具有这些物理上的优势性,因此有希望成为下一代的高频器件和大功率开关器件,且积极进行研究开发。对于上述的FET,需要同时实现高耐压和高导通电阻,但是,一般而言,在同一材料中,两者处于权衡的关系。进而,对...
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