技术编号:7209616
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及一种用于生长III族氮化物半导体层的方法,更具体而言,涉及一种采用大面积的薄蓝宝石衬底制造III族氮化物半导体发光器件的方法。所述III族氮化物半导体发光器件是指诸如包含由Al(X)fei(y)In(l-X-y) N(0彡χ彡1,0彡y彡1,0彡x+y彡1)构成的III族氮化物半导体层的发光二极管等发光器件,所述III族氮化物半导体发光器件还可包含由其他族的元素构成的材料(如SiC、 SiN, SiCN和CN),或由这些材料制成的半导体层。背...
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