技术编号：7209645
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件相关申请的引用本申请要求于2008年12月8日提交的美国临时专利申请No. 61/120818的权益， 将其全部内容结合于此供参考。背景技术示例性功率半导体器件(功率半导体装置，power semiconductor device)包括平面栅MOSFET晶体管、垂直栅MOSFET晶体管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、整流管和同步整流管。这些器件的槽栅多样性的典型实施包括在半导体芯片(裸芯片，die)顶面上形成...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。