技术编号:7209648
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造具有在绝缘体上形成有单晶硅层的绝缘层上覆硅 (Silicon-On-Insulator =SOI)结构的 SOI 晶片的方法。背景技术随着元件一代代地发展,为了满足趋向于高性能化这一目标,仅靠现有的利用块硅晶片而实现的尺度效应(Scaling Effect)已无法应对,必须要采用新的元件结构,作为所述元件结构的原材料,SOI晶片正引人关注。而且,由于使用了 SOI晶片的元件的种类扩展,所以与SOI层的厚度一样,对埋入式氧化膜的厚度也要求广...
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