技术编号：7209961
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构，尤其涉及与深沟槽线性电容器兼容的深沟槽变容器及其制造方法。背景技术变容器为具有压敏电容的半导体器件。通常与绝缘体接触的半导体表面处的空间电荷区以及累积随着所施加的电压而变，以产生依赖于偏压的电容。许多电子电路内都可有利地采用变容器内电容的变化性，而在放大器、振荡器以及频率合成器内提供有用的功能。例如变容器可用来构造电压控制振荡器(VCO)，其产生可调整的稳定频率，而不必采用具有多个振荡器的电路。mi提出的美国专利第7，129,801 ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。