技术编号:7210349
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及第III族氮化物半导体生长基板、第III族氮化物半导体外延基板、第III族氮化物半导体元件、第III族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法。背景技术通常,例如,包括由Al或( 等和N的化合物组成的第III族氮化物半导体的第 111族氮化物半导体元件广泛地用作发光元件或电子器件用元件。目前,此类第111族氮化物半导体通常通过MOCVD法形成在由例如蓝宝石组成的晶体生长基板上。然而,由于第III族氮化物半导体和晶体生长基板(通常是蓝宝石)的晶格常...
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