技术编号:7210359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种离子注入技术,尤其涉及一种独立控制离子束的偏移、减速和/ 或聚焦的技术。背景技术离子注入机(ion implanter)广泛用于半导体制造中以选择性地改变材料的导电性。在一典型的离子注入机中,从一离子源产生的离子被导向通过一系列束线元件,所述的束线组件包含一或多个分析磁铁(analyzing magnet)以及多个电极。分析磁铁选择所要的离子种类,滤出污染种类(contaminant species)以及不具有所需能量的离子,且调整目标晶圆处...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。