技术编号:7210532
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)元件区与二极管元件区被形成在同一半导体基板上的半导体装置。背景技术在专利文献I中,公开了一种IGBT元件区与回流用的二极管元件区被形成在同一半导体基板上的半导体装置。在半导体基板上依次层叠有背面侧、N_层、N层、P层。在P层的一部分表面上设置有N+层。设置有从半导体基板的表面侧起贯穿P层以及N层而到达N—层的沟槽栅。沟槽栅与N+层相接。作为背面层,而形成有P+层或者N+层。背面层成为P+层的区域为IGBT元件区...
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