技术编号：7210615
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种采用了等离子体的基板处理装置。 背景技术平行平板型的基板处理装置中，对ー对电极中的一个施加RF(高频)以产生等离子体，通过该等离子体对置于施加了 RF的电极上、或者另ー电极上的基板(Wafer)进行处理。这里，为了抑制电荷累积损坏、局所异常蚀刻(开槽)，公开了施加脉冲状的正电压作为偏压的技术(參照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1日本专利公开平08-264509号公报发明内容发明要解决的技术问题但是，即使施加脉冲状的正电压，也并不一...
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