技术编号:7210788
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件,尤其涉及其结构可使半导体发光器件的光提取效率提高且总的光输出增大的半导体发光器件。背景技术 图5是示意性示出了常规的结朝下安装的LED芯片(半导体发光器件)100的结构的侧视图。该LED芯片100包括截平的金字塔形GaP基片101;置于该GaP基片101的下表面之上的发光层102;置于该发光层102的下表面之上的下表面电极103;置于该GaP基片101的上表面之上的上表面电极104。该GaP基片101具有针对发光波长的透明特性。该...
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