技术编号:7210814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光元件用外延晶片及其制造方法和半导体发光元件,特别是涉及包含采用锌(Zn)或者镁(Mg)作为p型掺杂剂的铝镓铟磷(AlGaInP)系材料的半导体发光元件(发光二极管、半导体激光器)用外延晶片及其制造方法,以及使用该外延晶片制作的半导体发光元件。背景技术 近年来,对于采用半导体激光器中的AlGaInP系可见光半导体激光器作为光源的高密度光盘装置的开发十分活跃。被用于该光源的法布里-珀罗型激光二极管(LD)具有如下所述的层状结构,即,在n型G...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。