技术编号：7210820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS集成电路中的多晶硅-绝缘层-金属结构的电容；本发明还涉及该电容的制作工艺方法。背景技术在传统的CMOS集成电路制作工艺中， 一般通过双层多晶硅之间加绝 缘介质层(PiP)、双层金属之间加绝缘介质层(MiM)，或多晶硅与扩散区 之间加绝缘介质层来实现比较精密的，高单位面积电容值的电容结构。在这些电容制作方法中，不同的工艺方法存在不同的优缺点用双层 多晶硅工艺或双层金属工艺可以得到相对精确的电容值，但是工艺比较复 杂。而用多晶硅与扩散区之...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。