技术编号:7210823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,涉及减小晶片表面漏电电流的方法及反应装 置,具体地说,是一种减小由碳或硅的悬空键引起的表面漏电电流的方法及其 反应装置。背景技术目前,聚酰亚胺(polyimide)等聚合物被广泛用作半导体器件的钝化层,在 再分布层(redistribution layer)结构中充当緩冲层或介电层。这种钝化层结 构在后续的制程中,由于各种环境和设备的影响,例如受潮或者等离子体的 轰击,可能引起表面性质的改变,并产生表面漏电(surface lea...
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