技术编号:7210861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。技术背景随着半导体工艺线宽的日益减小,铜和低介电常数材料被用作后段互连 材料和绝缘材料,并且引入叹镶嵌工艺来克服铜难以刻蚀的困难。在专利申请号为0228694.9的中国专利中,公开了一种双镶嵌工艺,其制造工艺为首先 沉积第一介质层作为刻蚀停止层,在所述第一介质层上形成第二介质层,在 所述第二介质层上依次形成覆盖层和掩膜层,通过一系列的光刻刻蚀工艺在 所述第二介质层上形成沟槽和连接孔。通过刻蚀将所述连接孔底部的第一介 质层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。