技术编号:7211104
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及一种将芯片衬底与外 延层界面形成纳米级粗糙化结构的方法。背景技术一般蓝绿光的发光二极管LED制作方法是在光滑平整的蓝宝石衬底上外延成长 氮化铟镓单晶材料结构,分别通过加入硅及镁元素来实现(N)负型及(P)正型半导体材 料,并且在有源层里通过调整铟镓的比例来调整发光的波长,外延制程后还要经过芯 片表面的光刻与清洗,电极的制作、负极区域的刻蚀、发光特性的检测、减薄切割成 分立的芯片,所以一颗传统的蓝绿光芯片结构如图1所示,可分成正极压焊点1...
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