技术编号:7211168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体嵌入式闪存工艺,尤其涉及一种分离栅浮栅尖 端的制造方法。背景技术分离栅闪存通过浮栅尖端到控制栅之间的F-N隧道效应来实现擦除。如图1所示,目前的浮栅尖端的制造流程为步骤l、隧道氧化层,在硅衬底表面热氧化生长一层氧化层;步骤2、浮栅淀积,低压化学气相淀积一层多晶硅;步骤3、热氧化生长一层氧化物;步骤4、低压化学气相淀积一层氮化硅;步骤5、光刻定义浮栅图形和氮化硅刻蚀;步骤6、热氧化生长一层氧化物;步骤7、去掉氮化硅;步骤8、以氧化物为阻挡...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。