技术编号:7211170
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高压PMOS晶体管的制造方法,尤其涉及一种具有不 同掺杂类型栅的高压PM0S晶体管的制造方法。本发明还涉及一种高压 PMOS晶体管。背景技术高压器件的PM0S —般都是埋沟器件,以提高载流子的迁移率和驱动 电流,所以高压PM0S中都只包括N型多晶硅抓具体如图1所示。同时, 为了提高击穿电压,高压器件扩散区都采用非常缓变结,这样就需要较大 的沟道长度,因此驱动电流还是很难同时得到提高。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种高压PM0S晶体管的...
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