技术编号:7211327
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种深沟 槽工艺中保护沟槽底部的方法。 背景技术双极管等集成电路,经常利用深沟槽结构实现一定深度的隔离。现有 深沟槽工艺一般包括如下几步流程1)利用光刻工艺定义所需图案到光阻层;2)通过等离子刻蚀等工艺 将光阻层图案转移到下方的硬质掩模层,此掩模层从上到下一般包括氧化 物层、氮化物和氧化物层;3)利用等离子灰化等方法去除残余光阻层;4) 利用硬质掩模层作为掩模,通过等离子刻蚀工艺制备深沟槽结构;5)利 用...
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