技术编号:7211391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种铜内连线结构的制造方法,特别关于形成铜凹陷于镶嵌结构中。背景技术 芯片制造业者持续不断地试图改进工艺以达到更高的芯片操作速率。在半导体工艺技术也同时发展的情形下,多层内连线的电阻/电容时间延迟(RCdelay)效应会妨碍芯片操作速率。多层内连线电阻以及多层内连线间电容的增加,产生了电阻/电容时间延迟效应。由于铜的电阻低,所以铜为多层内连线材料中的最佳选择的一。在公知的铜内连线工艺中,在铜的化学机械抛光工艺(chemicalmechanical...
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