技术编号:7211396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,并且涉及基于该低高宽比结构制造沟槽DRAM存储单元的SSBS(单侧掩埋带)的方法。背景技术 具有低高宽比的结构例如用作沟槽电容的绝缘覆盖层,或者用作沟槽开口内底部区域的掩蔽部分的结构。在后一种情况下,例如在形成SSBS时,这种具有低高宽比的结构是重要的。在这种情况下,并不完全填充沟槽的填充结构必须仅被部分覆盖,以便由此在随后的蚀刻步骤中除去仅未覆盖的局部区域中的填充结构的材料。在这种情况下,在已知方式下,该过程是这样的首先沟槽的剩余开口内的底部...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。