技术编号：7211924
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体机器的清洁方法，且特别是涉及一种反应腔室的清洁方法。背景技术在半导体工艺中，不论是进行沉积工艺或是进行蚀刻工艺，在经过一段时间的重复操作之后，在半导体机器的反应腔室的内表面会产生污染性微 粒。如果不对反应腔室进行清洁，则在反应腔室中后续处理的晶片将会受到 污染，而将低产品的成品率。因此，会定期对反应腔室进行清洁。目前，现有对于反应腔室的清洁方法主要分为两步骤，第一步骤是以NF3作为清洁气体，在反应腔室中产生等离子体以除去反应腔室的内表面...
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