技术编号:7211934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及具备FUSI(fullysilicided)栅电极的。背景技术 在持续微细化的CMOS器件的研究开发中,积极展开以防止栅电极的耗尽化为目的而采用金属电极的研究。其中,尤其是提出了一种完全地硅化物化多晶硅电极的硅化物电极即FUSI(fully silicided)栅电极。另一方面,将较高电阻的多晶硅作为电阻体使用时,提出了一种在现有的自对准硅化物(salicide)工艺中,实现连接多晶硅电阻体和低电阻的多晶硅—金属硅化物(polycide...
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